Desde ya hace bastante tiempo se viene rumoreando de la migración de ATI a un proceso de fabricación menor, en efecto la actual generación de tarjetas gráficas X1800 y x1900 están bajo un proceso de fabricación de 90nm, pero ATI esta presta para hacer la migración a los 80nm en septiembre de este año, claro que la cosa no es como lo estas pensando, pues esta migración sólo afectará a algunos modelos mainstream, por el momento RV570, RV560, RV515 y RV505, así que la gama alta aun tiene que esperar, esperar el R600 diría yo. El RV570 y RV530 serían los reemplazantes para las x1300 y X1600 actuales, al ser un proceso de fabricación menor se supone que los precios no deberían ser superiores.
Por otro lado aunque aun no se pasa a los 80nm y por el momento es solo un anuncio de buenos resultados de fábrica pronto a concretarse, ya se habla de que en el 2007 ATI daría el paso a los 65nm. Otro asunto que se menciona es que ya no se necesitará tarjeta maestra para estas tarjetas pues integraran Crossfire interno y lo único que se necesitará será un conector similar al actual puente SLI que se usa en las gráficas nvidia. Respecto de este tema hace unas semanas atrás en el marco de la computex se mostró un sistema Crossfire sin tarjeta maestra y usando conectores similares al SLI Bridge.
De lo otro que se comenta en la fuente, es algo de lo cual nosotros ya les habíamos mencionado, y es respecto al chip RD580+ pues como informamos en su entonces, este chip es el entremés entre el R580 actual y el R600 próximo, ATI para enganchar con este nuevo Chip integrará memorias GDDR4 (aunque se sabe que este tipo de memorias son soportadas desde el R520), pero el R580+ estará fabricado a 90nm igual que el R580, su estreno será a finales de año, quizás para navidad una fecha sensible para los humanos y estratégica para las empresas.
Nvidia por su parte dice que «no esta ni ahí» y que ella hará sus anuncios a su devido momento, pero es un hecho que su proximo chip gráfico G80 de la futuras tarjetas Gefoce 8K tengan un proceso de manufactura de transistores menor a los 90nm y arquitectura unificada.