GlobalFoundries, la empresa manufacturera de capitales árabes que adquirió las fábricas de manufactura de AMD en Dresden-Alemania años atrás, ha anunciado el roadmap para sus futuros procesos de manufactura para la industria, y que apuntan a procesos tecnológicos de 20nm y 14nm con transistores 3D, enfocado en la próxima generación SoC para dispositivos móviles inteligentes, entre otras aplicaciones de la industria.
Actualmente GlobalFoundries produce semiconductores con transistores fabricados a 28nm lo que podemos ver en las actuales GPU y algunos SoC del mercado móvil, pero para el próximo año la compañía en conjunto con ST Microelectronics está desarrollando su nuevo proceso de manufactura de 20nm y 14nm, este ultimo y el más importante es denominado técnicamente como 14XM (eXtreme Mobility) e introducirá una nueva arquitectura de diseño modular tridimensional.
En efecto, este proceso utilizará transistores “FinFET” tridimensionales (similar a los transistores 3D o Tri-gate que Intel introdujo con proceso de manufactura de 22nm) ya que en lugar de un diseño plano (2D), se conformará de un diseño de arquitectura modular 3D que debido a su alta eficiencia brindará beneficios del orden del 40-60% en autonomía para la batería y entre un 20 – 55% en cuanto a rendimiento dependiendo del voltaje de operación, esto comparado con los actuales procesos de manufactura planos de 20nm (2D).
Este proceso de manufactura está optimizado principalmente para diseños de system-on-chip (SoC) para dispositivos móviles, aunque se puede aplicar a otros sectores de la industria dependiendo de los requerimientos de cada empresa. GlobalFoundries destaca que no todos los transistores 3D se crean de la misma forma, destacando que su diseño entrega un balance ideal entre rendimiento y consumo, mientras minimiza los costos de producción y el tamaño físico de los chips producidos a 14nm.
Actualmente está tecnología está en desarrollo en la Fab 8 en el condado de Saratoga, el “process design kits” (PDKs) está disponible desde ya, pero los diseños finales serán terminados en el 2013.
Milpitas, Calif., Sept. 20, 2012 – GLOBALFOUNDRIES today accelerated its leading-edge roadmap with the launch of a new technology designed for the expanding mobile market. The company’s 14nm-XM offering will give customers the performance and power benefits of three-dimensional “FinFET” transistors with less risk and a faster time-to-market, helping the fabless ecosystem maintain its leadership in mobility while enabling a new generation of smart mobile devices.
The XM stands for “eXtreme Mobility,” and it is the industry’s leading non-planar architecture that is truly optimized for mobile system-on-chip (SoC) designs, providing a whole product solution from the transistor all the way up to the system level. The technology is expected to deliver a 40-60% improvement in battery life when compared to today’s two-dimensional planar transistors at the 20nm node.
The 14nm-XM offering is based on a modular technology architecture that uses a 14nm FinFET device combined with elements of GLOBALFOUNDRIES’ 20nm-LPM process, which is well on its way to production. Leveraging the maturity of the 20nm-LPM technology will enable a smooth transition for customers looking to tap the benefits of FinFET SoCs as soon as possible. Technology development is already underway, with test silicon running through GLOBALFOUNDRIES’ Fab 8 in Saratoga County, N.Y. Early process design kits (PDKs) are available now, with customer tape-outs expected in 2013.
[nggallery id=998]
[GlobalFoundries] vía [Legitreviews]
