Hitachi Global Storage Technologies (HGST) en la Flash Memory Summit and Exhibition en Santa Clara, California mostró un nuevo tipo de unidades SSD (Solid State Disk) basadas en la próxima generación de memorias de cambio de fase o Phase Change Memory (PCM), las cuales darán un impulso exponencial al rendimiento de estas unidades, reemplazando además a los actuales chips de memorias NAND Flash.
Como podrán imaginar, al utilizar este tipo de memorias el prototipo alcanzó un rendimiento realmente superlativo comparado con las actuales memorias, entregando nada menos que 3.000.0000 de IOPS (Inputs Outputs Operations per Seconds), que supera largamente los 100.000 IOPS que alcanzan como máximo las unidades más veloces de la actualidad, incluso superando a unidades PCI-Express de alto rendimiento que utilizan más de un controlador en sus PCB.
Otro asunto destacable de la unidad mostrada por Hitachi, es la latencia de lectura aleatoria de las memorias, las cuales llegaron sólo a los 1,5 microsegundos, comparado con los 70 microsegundos que toman las unidades basadas en las mejores memorias Flash de mercado. En cuanto a datos más específicos, Hitachi mostró una unidad especial dotada con chips de memorias de 1Gb fabricados en 45nm con una interfaz y un nuevo protocolo de comunicación para logra estos bajos accesos y esto conectando la unidad sólo a una interfaz PCI Express de segunda generación (2.0) de 4x.
Este último punto incluso fue el más destacado por Zvonimir Bandic, el jefe de la división de Arquitecturas de almacenamiento en HGST, agregando que mientras tres millones de IOPS es sin duda una cifra excepcional, lo más excitante es que la unidad puede entregar esas latencias ultra bajas para pequeños bloques de lectura aleatoria, algo que no pueden realizar las unidades actuales con los chips de memorias NAND Flash, controladores existentes y las tecnologías de interfaces.
Este rendimiento excepcional gracias a chips de memorias phase-change está apuntado principalmente a satisfacer las futuras necesidades de súper cómputo o computación de alto rendimiento donde las demandas intensivas en solicitudes de lectura y escritura paralela a gran escala será un factor que determinará la eficiencia de respuesta de un sistema de cómputo a gran escala.
La tecnología lógicamente también servirá para satisfacer las necesidades del mercado de consumo, pero lamentablemente esta nueva tecnología no estará para uso comercial inmediato y tomará entre dos y tres años para que este tipo de memorias logren mayor densidad y sean lo suficientemente baratas para competir y reemplazar de una vez a las actuales memorias NAND Flash.
[Hitachi]
