Según se comienza a especular, Intel podría realizar un importante anuncio hoy y éste tendría que ver con su tecnología de transistores, la base para mejorar los futuros productos de Intel, en virtud de seguir escalando a procesos más avanzados de manufactura a nivel de transistores y en consumo energético.
La técnica denominada Tri-GateTransistor o transistor de 3 puertas fue anunciada por Intel en el 2006 y según mencionó en ese entonces, jugaría un importante rol en los planes de eficiencia energética en los productos de la compañía, esto debido a que esta técnica pose un mucho menor nivel de fuga de energía a nivel de transistores y por ende consume mucho menos que los métodos actuales.
Esta técnica jugará un rol fundamental en los planes de Intel de seguir reduciendo los procesos de manufactura en virtud de la ley de Moore, por cuanto cada vez que se avanza o se reducen los procesos más difícil es controlar por ejemplo las fugas eléctricas a nivel de transistores.
Siendo un poco más específicos en el 2002 ya Intel había desarrollado el primer transistor CMOS tri-gate, que emplea un diseño tri-dimensional de puertas (gates), diseño que mejora el flujo de corriente, mientras reduce las fugas cuando el transistor esta en modo apagado (off state). Desde ese entonces Intel ha mejorado el rendimiento y eficiencia energética del transistor integrando un diseño tri-gate, en conjunto con otras innovaciones y materiales como strained silicon, high-k gate dialectric, metal gate electrodes y otros elementos que han ayudado a mejorar la técnica con la cual Intel podría desarrollar chips con mucho mejor rendimiento y mejores características térmicas y eléctricas.
Ahora solo queda esperar para ver si el anuncio de Intel tiene que ver con lo que escribimos en esta nota.
Más información en: [Intel Integrated CMOS Tri-Gate Transistors]
