Hace muy pocos días atrás les contamos una interesante noticia que hablaba de Hynix, una conocida Compañía que se dedica al desarrollo de memorias, la cual había adquirido la licencia de la tecnología Z-RAM, un tipo de memoria que para muchos expertos es el nuevo salto de este sector. Por su parte, un grande
Intel, de acuerdo a fuentes de
Por lo que se ha sabido, Intel iniciará una aventura en conjunto con Numonyx, para co-desarrollar las tecnologías denominadas Phase Change Memory («Memoria de Cambio de Fase» o «PCM«). Numonyx, recientemente creada del grupo inicial de Intel relacionado con memorias Flash, y de recursos de ST Microelectronics, se dedica al desarrollo de tecnologías de memorias no volátiles.
Si bien, Intel ha indicado que se encuentra trabajando con ST Microelectronics, en relación al tema de las PCM, desde el año 2003, lo cual permitió demostrar el chip PCM «Alverstone» de 128 MB en el IDF de Otoño 2006, el nuevo esfuerzo de investigación y desarrollo combinará staff y otros recursos tanto de Numonyx como de Intel.
Las fuentes de la información han indicado que Intel cree que las PCM pueden transformarse en las sucesoras de las memorias Flash, mejorando no sólo los ciclos de escritura de estas (aproximadamente 100 millones de ciclos de escritura comparados sólo con 1 millón), sino también un aumento en la capacidad de respuesta y rendimiento de transferencia de datos. Posibles aplicaciones de las PCM, de acuerdo a Intel, serían Discos Duros Sólidos («SSD«), los cuales serían lo suficientemente rápidos para no poner restricciones a los sistemas multi-núcleos.
Los dispositivos PCM son del tipo llamado almacenamiento «no volátil» ya que son capaces de mantener los contenidos en su memoria intactos, cuando no hay energía suministrada. El nombre de «fase» proviene de la tecnología misma. En efecto, las memorias Flash actuales, guardan una carga eléctrica en su interior, mientras que las PCM, usan una tecnología muy similar a los CDs Regrabables. Calor, aplicado a su aleación de componentes, las cambias de fase entre la cristalina (conductiva) y la amorfa (resistiva), almacenando así la información.
Pase a todo, las PCM deben solucionar algunos inconvenientes siendo el mayor de ellos su extremada sensibilidad a la temperatura. Sin embargo, lo que ha llamado la atención de esta tecnología son las impresionantes densidades alcanzadas, lo que indica que pueden ser un sucesor viable de las memorias Flash.