Hace algunos días Samsung anuncio el Samsung SSD Global Summit, sus nuevas unidades SSD 840 Evo Series, unidades que por sus prestaciones y precios se convierten en opciones muy atractivas para quienes esperan hacer una transición desde un disco duro tradicional a una unidad SSD, sin embargo, estas unidades esconden otras características que vale la pena revisar.
Memorias TLC de 3-bit.
Aunque Samsung indico en su nota de prensa que las nuevas unidades 840 Evo series utilizaban memorias “NAND Flash de 10nm class”, esto llevo a confusión en primera instancia, incluso al momento de publicar nuestra nota. Sin embargo, como ya aclaramos previamente en realidad Samsung está utilizando casi las mismas memorias TLC que las unidades 840 series, claro que en lugar de ser memorias de 2xnm, estas son memorias TLC de 1xnm o más bien de 19nm ToggleNAND 2.0 (128 gigabit per die), con una velocidad de 400 Mbps (lo mismo que las memorias TLC de las unidades 840 series).
Recordemos que las memorias TLC o Triple-Layer-cell son más baratas de manufacturar y permiten incrementar la capacidad del almacenamiento de las unidades, pero sus ciclos de escritura son más reducidos en comparación con las MLC y SLC. Por ejemplo las memorias TLC tienen alrededor de 1.000 ciclos de escritura, las memorias MLC 10.000 ciclos de escritura y las SLC tienen 100.000 ciclos.
De lo anterior deriva que las unidades basadas en estas memorias tengan un menor tiempo de vida, aunque suficiente para bastantes años de operación, por lo tanto, no hay nada de qué preocuparse en este sentido. Sólo un ejemplo: según estimaciones las unidades 840 de 256GB que usan memorias TLC durarían hasta 23 años escribiendo diariamente 10 GB de datos en la unidad, algo que sería poco usual en el uso cotidiano del usuario común, no así en ambientes empresariales y de centros de datos donde la demanda en escritura/lectura es mucho más intensiva.
Nuevo controlador MEX.
Cuando Samsung lanzo sus unidades antiguas 830 series introdujo su propio controlador MCX, el año pasado cuando lanzo sus unidades 840 y 840 Pro series nuevamente actualizó el controlador con el MDX. Ahora con sus unidades 840 Evo Series, Samsung nuevamente actualiza el controlador, ahora llamado MEX.
Este controlador se basa en un diseño de ARM Cortex R4 de tres núcleos (el mismo que la línea 840 Pro), sin embargo, Samsung incrementa sus frecuencia de trabajo de 300 MHz a 400 MHz, es decir, un “OverClock” del 33%. Este leve incremento en frecuencia es suficiente para aumentar el rendimiento en IOPS 4K QD1, desde los 7900 de las unidades 840 a 10000 en la línea 840 Evo (+27%). Esto con la adición de algunas actualizaciones en el firmware, hace que el nuevo controlador MEX, aunque se base en la misma arquitectura que el controlador MDX, incremente el rendimiento en micro-operaciones dentro de la unidad y también impulsar el rendimiento externo.
Tecnología TurboWrite.
Otra de las mejoras de las nuevas unidades Samsung 840 Evo series, es TurboWrite, un buffer de alto rendimiento dentro de la unidades que cosiste en simular un área para escritura como si se tratase de memorias SLC. Esto debido que a escribir en memorias MLC de 3-bit toma un poco más tiempo que escribir en memorias MLC y SLC de 2 y 1-bit, Samsung ha implementado este buffer de alto rendimiento en modo SLC, aunque técnicamente el buffer sigue siendo de 3-bit MLC, opera como si fuera un buffer SLC.
La cantidad de memoria reservada para el Buffer TurboWrite depende del modelo, por ejemplo el modelo de 1TB incorpora 12 GB de memoria TurboWrite, el modelo de 750 GB utiliza 9GB, el modelo de 500GB utiliza 6GB, el modelo de 250GB utiliza 3GB, mientras el modelo de 120GB utiliza 3GB de cache TurboWrite.
La tecnología TurboWrite es la gran responsable en las tasas de escritura y lectura de las nuevas unidades 840 Evo series, respecto a las unidades 840 series, que por ejemplo va desde los 140 MB/s a 410 MB/s en el modelo de 120 GB y de 270 MB/s a 520 MB/s en el modelo de 250 GB.
Dynamic Thermal Guard.
Una tecnología más que nada preventiva, aunque las unidades SSD generan muy poca temperatura respecto a una unidad mecánica tradicional, Samsung ha implementado esta tecnología de protección, que en el caso muy atípico que la unidad sobrepase los 70 grados Celsius, automáticamente disminuirá su uso de energía para generar menos calor, hasta que la temperatura de operación retorne a sus niveles normales. Samsung no dio detalles adicionales al respecto, pero puede que esta tecnología esta enfocada en equipos portátiles de alto rendimiento que generan altas temperaturas, como notebooks gamers.
Más memoria Cache.
Otro de los aspectos a menor escala que ha mejorado Samsung en estas unidades es el cache, aunque sigue utilizando memorias LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2), ahora incrementa la capacidad desde los 512 MB de las unidades 840 a 1000 MB (1GB) en las nuevas unidades 840 Evo series. Esto permite almacenar más datos para las operaciones del controlador de la unidad y los chips de memorias.
Samsung Rapid Mode Technology
En diciembre de 2012, Samsung compró la empresa Californiana NVELO, la desarrolladora del famoso software Dataplex utilizado en varias unidades SSD para aceleración o “cache drive” del mercado como los Corsair Accelerator, OCZ Synapse, Crucial Adrenaline, Mushkin Catalyst, entre otras y uno de los primeros frutos de esta adquisición es la nueva y próxima tecnología Samsung Rapid Mode Technology.
Antes de detallar en que cosiste Rapid Mode, es importante aclarar que no corresponde a las tecnologías internas propias de las unidades EVO Series detalladas en los párrafos anteriores, aunque será totalmente compatible con ellas y más adelante Samsung la llevará también a sus unidades 840 y 840 Pro series.
RAPID es una nueva característica que serán incluida con en el software Samsung Magician 4.2 y que está destinada a incrementar el rendimiento del computador o SSD con una especie de cache utilizando la memoria RAM para acelerar tareas de lectura y escritura. Técnicamente es una especie de RAMDisk, entre el sistema operativo y la unidad SSD. Con esta tecnología las unidades EVO Series podrían incluso doblar su rendimiento, ya que como sabemos la memoria RAM poseen tasas de lectura y escritura mucho más veloces que las unidades SSD.
La tecnología RAPID Mode es únicamente compatible con sistemas operativos Windows 7/8 y podrá reservar inicialmente hasta 1 GB de memoria RAM como un cache, donde se almacenará la información más crítica o de mayor uso del sistema para un acceso y lectura ultra-veloz (por ahora no sabemos si este límite de 1 GB podrá ser incrementado).
En este contexto RAPID Mode tiene una filosofía similar a la usada por el software Dataplex cuando se usa un SSD como cache para incrementar el rendimiento de un computador, moviendo los datos críticos y de mayor uso desde el disco duro al SSD de cache. En esta nueva tecnología se utilizará la memoria RAM para acelerar el rendimiento del SSD y por consiguiente del computador.
Según pruebas preliminares mostradas por Samsung una unidad de Samsung 840 EVO obtiene velocidades de lectura y escritura de 538.3 MB/s y 525.4 MB/s por sí mismas con el software CrystalDiskMark 3.0.1, activando RAPID mode estas tasas se elevan a 774 MB/s y 1133 MB/s en lectura y escritura secuencial. Estas diferencias se duplican y triplican con bloques 512K desde los 497.7 / 299.7 MB/s a 1102/971.4 MB/s.
