El fabricante taiwanés de chips de memorias Micron Technology, ha informado que ya comenzó la etapa de testeo (sampling), de su próxima generación de memorias NAND-Flash utilizando un avanzado proceso de manufactura de 16nm, lo que permitirá crear chips de memorias de 128-gigabit (Gb) (MLC) NAND Flash.
Estos chips están destinados a ser incorporados en la próxima generación de dispositivos basados en memorias NAND Flash, como por ejemplo unidades de estado sólido (SSD), unidades de almacenamiento removibles (pendrive, tarjetas de memoria), tablets, dispositivos portátiles, dispositivos ultralivianos e incluso en centros de almacenamiento en la nube.
Esta reducción en el proceso de manufactura provee una alta tasa de bits por milímetro cuadrado y reduce los costos de manufactura, con un rendimiento de cerca de 6 TB de almacenamiento en una sola oblea de silicio (wafer), más que cualquier proceso de manufactura actual (25nm, 20nm o 19nm).
Micron ya ha enviado muestras de estos chips de 16nm para selectos socios y planea iniciar la producción en masa en el cuarto trimestre de este año (Q413). Micron está también creando una nueva línea de unidades de estado sólido (SSD) basadas en estos chips de memoria y espera enviar las primeras unidades al mercado en el primer trimestre del 2014.
Actualmente la industria está trabajando con chips de 20nm y 19nm, por lo tanto, el siguiente paso son los 16nm, aunque Samsung ya ha comenzado a trabajar con chips de 10nm.
[Micron]
