Micron ha anunciado hoy su primer módulo de memoria DRAM DDR4 completamente funcional, la compañía ya ha comenzado el proceso de envío de muestras y ha recibido el feedback de sus mayores clientes para una rápida implementación de este tipo de memorias para el 2013.
Co-desarrolladas con Nanya y basadas tecnología de 30 nanómetros de Micron, estos módulos de 4GB incorporan 8 chips de memorias, los que operan a una frecuencia inicial de 2400 MHz o megatransfers per second (MT/s), pero posteriormente se pretende crear módulos con una velocidad de 3200 MT/s o 3200 Mhz. Estos módulos también son la base para el desarrollo de futuros productos basados en memorias DDR4 incluyendo módulos RDIMMs, LRDIMMs, 3DS, SODIMMs y UDIMMs tanto estándar como con registros ECC (Error Correction Code).
El bajo consumo y el alto rendimiento serán una de las características claves de las memorias DDR4 que además del mercado de consumo y empresarial, apuntan también a mercados en franca expansión como el de los dispositivos móviles como Tablets.
Como ya mencionamos de entrada los estos módulos ya comenzaron a ser enviados a los partners a inicios de año y su producción en masa comenzará en el cuarto trimestre de este 2012, por lo que estarán listas para su implementación comercial en el 2013, dependiendo de todos modos de lo que diga Intel y AMD, sobre todo el primero que son en definitiva las compañías que en el mercado de consumo impulsan o no la adopción de este tipo de tecnologías.
En este contexto como ya mencionamos en una nota previa, Intel pretende introducir el uso de memorias DDR4 recién a partir del 2014 con su plataforma Haswell-EX, pero parece que Micron y otros fabricantes de chips de memorias quieren que su adopción sean antes.
A continuación una tabla donde Micron destaca las principales ventajas de la proxima generacion de memorias DDR4 respecto al estándard actual DDR3.
