Como ya lo adelantamos (incluso antes que Intel) y no nos equivocamos, la compañía ha anunciado hoy transistores 3D o 3D Tri-Gate transistors, la nueva técnica de diseño a nivel de transistores que debutará de manera exclusiva con su próxima generación de procesadores Intel Ivy Bridge (22nm) y segun Intel es la evolución del transistor que por primera vez desde su invencion hace 50 años utilizará una estructura 3D.
Tal como en la generación pasada Intel ha hecho la transición desde métodos como SOI (Silicon On Insulator) a High-K metal Gate (mejoras intermedias incluidas) y ahora toca el debut de 3-D Tri-Gate Transistor que debutará con los próximos procesadores Ivy Bridge de 22nm, que debutaran la primera mitad del 2011, posiblemente a inicios del próximo año.
De acuerdo a Intel, los transistores 3D (tri-gate) en 22nm entregan un 37% más de rendimiento a bajo voltaje comparado con los transistores “planos” usados con su proceso de manufactura a 32nm (High-K metal gate) y consumen la mitad de energía operando al mismo rendimiento que sus contrapartes 2D de 32nm.
Una de las grandes cosas de esta técnica es que los transistores 3D tienen puertas (gates) en los 3 de los 4 lados del transistor, esto permite un mejor control sobre el flujo de corriente del transistor y permite un cambio más rápido entre los estados encendidos (on) y apagado (off).
Como ya mencionamos Intel hará el debut de esta tecnología a nivel de transistores con sus próximos procesadores Ivy Bridge de 22nm que tomaran ventaja de todas estas prestaciones eléctricas, de consumo y voltaje de esta técnica más eficiente a nivel de transistores.
Este logro de Intel es fruto de años de desarrollo, ya en el 2002 lo habían anunciado como este desarrollo jugaría un importante rol en el desarrollo de futuros productos de Intel y ahora anuncian que ya están listos para implementar la tecnología a nivel comercial en sus procesadores, específicamente en Ivy Bridge de 22nm.
[nggallery id=691]
