La tecnología DDR4 es el próximo desarrollo para memorias RAM (Random Access Memory) y las principales empresas del rubro ya han comenzado desde hace tiempo con el desarrollo y testeo de dichos chips. Samsung como principal productor de memorias es uno de ellos y ya ha comenzado el proceso de testeo de los primeros módulos DDR4 de 16GB, aunque de momento solo para servidores pues son módulos RDIMMs (Registered Dual Inline Memory Modules).
Estos módulos utilizan chips fabricados a 30nm y Samsung ya ha enviado a Intel, AMD y otras compañías del sector de los servidores muestras de estos módulos en 8 GB y 16G B para efectos de testeo, siendo también los módulos de mayor densidad en su tipo, donde Samsung ha avanzado bastante desde el último tiempo, ya en diciembre de 2010 Samsung anunciaba los primeros módulos DDR4 de 2 GB y ahora ya tienen módulos de 16GB.
Según indica Samsung, empleando una nueva arquitectura para sistemas de cómputo, la tecnología DDR4 ofrecerá un alto rendimiento comparado con DDR3 y para el próximo año doblarán la actual velocidad de 1600 megabit por segundo (Mbps) de los actuales módulos DDR3. También podrán mover información utilizando un voltaje de solo 1.2v y reducirán el consumo en un 40% comparado con módulos DDR3 de 1.35v.
Samsung se mantendrá trabajando en la JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) para la estandarización de la tecnología DDR4 en memorias DRAM y esperan tener finalizadas las especificaciones para Agosto de este año.
Los módulos DDR4 comenzarán su producción en masa el próximo año, pero su desarrollo continuará y posteriormente se avanzará a un proceso de manufactura de 20nm para memorias DDR4 SRAM, que estarán también disponibles en algún momento en el 2013, más probablemente a finales de dicho año con densidades de 32GB, doblando el anuncio actual de Samsung.
Como un dato de referencia, Samsung es uno de los pioneros en las tecnologías DRAM, desde que desarrollaron el primer módulo/chip DDR DRAM en 1997, posteriormente en el 2001 introdujeron el primer módulo DDR2 DRAM y en el 2005 anunciaron los primeros módulos/chips DDR3 utilizando un proceso de 80nm. Actualmente anuncian el primer módulo DDR4 de 16GB utilizando un proceso de manufactura de 30nm y para el próximo año ya anuncian el primer modulo DDR4 de 32GB a 20nm.
[Samsung]
