La carrera por nanometrajes reducidos en los procesos de fabricación de silicio, no solo se da en el ámbito de los procesadores y GPU, en el campo de otros integrados como los chips de memoria también hay una carrera que por ahora lidera Samsumg, pues es quien más ha innovado en este aspecto.
Ya anteriormente informamos que Samsung Electronic Co, había anunciado el desarrollo y producción en masa de chips de memoria DRAM DDR2 a 80nm, en chip de 1Gb, los que significaban una reducción de tamaño respecto a los chips de memorias actuales fabricados en 90nm de un 36%.
Ahora Samsung Electronics siguiendo esta tendencia de desarrollo e investigación, ha anunciado el desarrollado de su primer chip DDR2 DRAM con un proceso de 50nm, proceso con el cual es posible incrementar la capacidad productiva de estos chip en un 55%, respecto a chips fabricados a 65nm. Los nuevos Chip de memoria de 1Gb DRAM incorporan un diseño de transistores tridimensionales y una tecnología dieléctrica multi-capas (multi-layered dielectric technology) que según Samsung permite aumentar el rendimiento y la capacidad de almanacenamiento de los chip.
Con este desarrollo Samsung continua a la cabeza del desarrollo de chips para memorias RAM, pero no es el único campo en donde se mueve Samsung ya que en el campo de las memorias Flash, Samsung también camina a pasos agigantados en donde tiene el desarrollo de chips a 40nm tal como lo informamos anteriormente en esta noticia.
Por otro lado el disminuir los procesos de fabricación, no solo permite rebajar costos de producción, sino también permite mejorar las propiedades térmicas y de consumo de los chips de memoria, como así también las tasas de transferencia de datos de los chips, esto ya se lo hemos mencionado antes, pero no está de más traerlo a colación nuevamente.
También tenemos que es posible fabricar módulos de memoria con mayor capacidad, esto por que al reducir procesos de fabricación, también reducimos el tamaño de los chips de memoria y con un diseño de circuito adecuado se pueden fabricar módulos de memoria más allá de los 2GB actuales.
Estos nuevos chip a 50nm, que por ahora están en desarrollo aún, se aplicarán o serán usando por un amplio rango de dispositivos como memorias RAM y memorias para tarjetas gráficas, la producción en masa en tanto está programada para el 2008.
