Samsung Electronics, tal como Hynix, anunció que ha comenzado la producción en masa de sus chips de memoria GDDR5 usando un proceso de fabricación de 50nm, el cual le ha permitido reducir el voltaje nominal desde los 1.425 – 1.575v de la generación actual de chips GDDR5 de 60nm, a sólo 1.35v gracias al nuevo proceso. Pero esto no es todo, ya que gracias a la reducción del proceso productivo, Samsung ha logrado alcanzar una velocidad de 7Ghz para estas memorias (6Ghz anteriormente), que pueden alcanzar un ancho de banda máximo de 224GB/s o 448GB/s si son conectadas a un bus de 256-bit o 512-bit respectivamente. Este tipo de memorias se usan en tarjetas gráficas de alto rendimiento y en este 2009 se espera que ocupen un 20% del mercado gráfico. [Samsung]