Samsung Electronics, el principal productor de chips de memorias de la industria, ha anunciado que ya comenzó la producción en masa de sus primeros chips de memoria NAND Flash con un avanzado proceso de manufactura de 10nm, que le permiten a Samsung seguir siendo el líder indiscutido en el mercado de memorias Flash, recordemos que también fueron los primeros en anunciar memorias MLC de 20nm en el 2010 y ahora repiten con los 10nm,
La primera partida en volumen de estos chips de 128-gigabit (Gb) MLC (multi-level-cell) de 3-bit ya comenzó a fabricarse este mes, los cuales gracias a su reducido proceso de manufactura, permitirá soluciones de memoria de alta densidad (capacidad) como tarjetas de memorias, SSD etc. En este contexto, Samsung ya estaría preparando unidades SSD con capacidades superiores a los 500 GB para el mercado de computadores personales, mientras ayuda a la transición desde discos duros a unidades SSD como principal medio de almacenamiento en equipos portátiles (notebooks).
Estos nuevos chips no sólo incrementan su densidad, sino que también incrementan su rendimiento que llega a los 400 Mbps de tasa de transferencia mediante una interfaz toggle DDR (Double Data Rate) 2.0, esto desde luego permitirá soluciones de almacenamiento más veloces y también dispositivos más compactos.
Samsung comenzó la producción inicial de chips de memorias de 10nm y 64 Gb en noviembre del año pasado, pero ahora comienza a producir nuevos chips con el mismo avanzado proceso de manufactura pero con una densidad de 128 Gb.
Samsung hasta ahora utilizaba chips de memoria de 64 Gb fabricados a 20nm (usados en sus unidades SSD 840 y 840 PRO), pero con el nuevo proceso de manufactura de 10nm incrementará a más del doble la producción de chips, permitiendo eventualmente productos basados en estos chip más económicos, por otra parte incrementará también la capacidad de almacenamiento de los dispositivos que integren este tipo de memorias.
