Samsung dobla densidad de chips DDR3

Samsung Electonics, ha anunciado el desarrollo de chips de memorias DRAM DDR3 de 4Gb (512MB), usando un proceso de manufactura de 50nm, con este desarrollo se podrán ofrecer módulos de memoria de 16GB RDIMM para servidores y módulos de 8GB para computadores de escritorio (DIMM) y portátiles (SODIMM), incluso aplicando el sistema de doble lado se pueden crear módulos de hasta 32GB. Estos chips de bajo consumo operan a solo 1.35v, mejorando el promedio de los chips DDR3 en un 20% desde los 1.5v, además poseen una velocidad de 1.6 gigabits/s (Gbps). El consumo de los módulos también se reduce al usar un menor número de chips. Estos chips de 4Gb doblan en densidad a los anunciados por la compañía en septiembre del 2008 donde había conseguido chip de 2Gb (256MB)en su primer desarrollo a 50nm. [vr-zone]