En el 2006 Samsung (y luego IBM) anunciaban el desarrollo de un nuevo tipo de memoria denominada PRAM (Phase-change RAM) y cuya finalidad era reemplazar a las actuales memorias del tipo NAND-Flash y NOR-Flash. Las principales características y ventajas de la memoria PRAM sobre las NAND-Flash, son su velocidad 30 veces superior; más económica de producir y con una vida útil 10 veces mayor, además de ser más fiables para el almacenamiento de información y con mayor retención de datos, los cuales se pueden escribir y rescribir, sin eliminar los datos previamente grabados. Pues bien Samsung, luego del respectivo periodo de desarrollo y testeo de PRAM, ha anunciado que comenzara la producción de los primeros chips de muestra en el mes de junio, con una densidad de 512MB. [techspot]