A inicios de agosto, Samsung inició la producción en masa de sus nuevos chips de memorias 3D vertical-NAND flash (V-Nand), las cuales están orientadas a ofrecer una mejor relación costo/capacidad para el mercado de unidades de almacenamiento y las cuales serán integradas en las próximas unidades SSD 850 EVO.
Así lo ha revelado material de marketing de Samsung, donde indican que este tipo de memoria será integrada en las aun no anunciadas, pero inminentes unidades Samsung 850 EVO, las cuales llegarán próximamente al mercado.
La familia de unidades SSD EVO de Samsung se lanzo por primera vez en julio de 2003 con la familia Samsung EVO 840 que venían a posicionarse entre la familia 840 Pro y 840 lanzada en el 2012, con la diferencia que las unidades EVO utilizaban memorias TLC (Triple-Layer-Cell) en lugar de las tradicionales memorias MLC (Multi-Layer-Cell).
Ahora Samsung prepara la familia EVO 850, con las cuales hará el debut de sus memorias 3D Vertical NAND (V-NAND) de 3-bit (TLC), con las que podrá ofrecer mayor capacidad a un menor precio. Samsung también actualizará el controlador de tres núcleos que integra en estas unidades.
Por ahora no hay datos de rendimiento, velocidades, IOPS y precio de estas unidades, pero pronto deberían ser revelados.
[Expreview] vía [TechPowerUp!]
