Luego del anuncio de sus unidades 840 y 840 Pro series en el 2012, el gigante sur-coreano Samsung Electonics en el marco de su “SSD Global Summit” en Seúl, ha revelado sus nuevas unidades de estado sólido SSD Samsung EVO Series, las cuales son las primeras y únicas unidades SSD de la industria en utilizar chips de memorias NAND Flash de 10nm class (19nm Toggle 2.0 TLC), producidas por la propia compañía.
Estas nuevas unidades serán despachadas al mercado en capacidades de 120 GB, 250 GB, 500 GB y también en 750 GB y 1TB, con mejoras sustanciales en las tasas de lectura y escritura comparado con la familia Samsung 840 (no-Pro) actual, además incorporan un controlador propietario multi-núcleo (MEX) diseñado por la propia Samsung para esta familia de unidades, tal como lo hizo antes con el controlador MDX de la familia 840 y 840 Pro.
Comparado con las unidades actuales 840 de 250 GB (la mejor vendida dentro de su línea según Samsung), las nuevas unidades 840 EVO de 250GB ofrecen velocidades de escritura secuencial de 520 MB/s, el doble que los modelos 840 actuales. En el caso del modelo 840 EVO de 120 GB, este ofrece velocidades de escritura secuencial de hasta 410 MB/s, esta vez aproximadamente 3 veces lo que ofrece el modelo actual Samsung 840 Series de 120 GB.
En el caso del nuevo modelo de 1 TB que ofrece Samsung como máximo exponente en capacidad, este ofrece tasas de lectura y escritura de 540 MB/s y 520 MB/s con un rendimiento de 98.0000 y 90.0000 IOPS (Input Output Operations Per Second) para lectura y escritura respectivamente, el resto de los modelos de 500 GB y 750 GB ofrecen un rendimiento similar, tal como se muestra en la tabla de especificaciones.
Tal como sus antecesores 840 series, las nuevas unidades de Samsung vienen en formato de 2.5”, con una altura de sólo 7mm y conexión SATA 6.0 Gbps (SATA 3). Samsung no ha informado el precio de estas unidades, pero serán despachadas al mercado la primera semana de Agosto y estos serían sus precios según Samsung.
UPDATE: Recodemos que actualmente las unidades SSD utilizan memorias de 20nm y 19nm y hace algunos días Micron anunció sus memorias NAND Flash de 16nm, pero Samsung había ya comenzado en abril la producción en masa de memorias NAND Flash de 10nm, aunque el asunto queda un poco confuso debido a que tal parece que este proceso de manufactura es una variación entre los 10 y 19nm, aunque Samsung no lo aclara del todo en su nota de prensa, averiguando un poco más estas se tratarían de memorias ToggleNAND TLC-flash (128 gigabit per die) de 19nm.
Recordemos que las memorias TLC o Triple-Layer-cell son más baratas de manufacturar y permiten incrementar la capacidad del almacenamiento de las unidades, pero sus ciclos de escritura son más reducidos en comparación con las MLC y SLC. Por ejemplo las memorias TLC tienen alrededor de 1.000 ciclos de escritura, las memorias MLC 10.000 ciclos de escritura y las SLC tienen 100.000 ciclos.
De lo anterior deriva que las unidades basadas en estas memorias tengan un menor tiempo de vida, aunque suficiente para bastantes años de operación, por lo tanto, no hay nada de que preocuparse en este sentido. Sólo un ejemplo: las unidades 840 de 256GB que usan memorias TLC durarían hasta 23 años escribiendo diariamente 10 GB de datos en la unidad, algo que sería poco usual en el uso cotidiano del usuario común, no así en ambientes empresariales y de centros de datos.
The new Samsung SSD 840 EVO line-up makes use of the industry’s most compact 10-nanometer class 128 Gb high-performance NAND flash memory, which Samsung began mass producing in April. With these chips and Samsung’s proprietary multi-core controller, the Samsung SSD 840 EVO achieves unrivaled value for performance with improved sequential read and write speeds. (Samsung Press Release)
Finalmente estas unidades estarán enfocadas en el mercado de unidades económicas, ya que Samsung las compara con sus unidades 840 series (enfocadas en dicho mercado), pero ofreciendo un rendimiento superlativamente superior.
