El gigante surcoreano Samsung Electronics y la japonesa Toshiba Corporation han anunciado un acuerdo para desarrollar la más avanzada tecnología de alto-rendimiento para memorias NAND-Flash disponible a la fecha y que permitirá incrementar el rendimiento de transferencia de estos chips hasta 10 veces de lo que ofrece la arquitectura convencional de las memorias Flash (SDR) y 3 veces de lo que ofrece la especificación de alto rendimiento actual.
La nueva tecnología se trata de memorias NAND-Flash DDR (Double Date Rate) con una interfaz de hasta 400 megabit-por-segundo (Mbps) basado en nuevas especificaciones DDR (Double Data Rate) 2.0, lo cual se traducirá en memorias Nand-Flash de mayor velocidad y beneficiara a todo tipo de aplicaciones como dispositivos móviles (reproductores, cámaras, teléfonos), de almacenamiento (SSD, USB Flash drive) y dispositivos de computo y electrónica de consumo en general que utilicen este tipo de memorias, como por ejemplo los cada vez mas populares Tablet PC, entre otros dispositivos.
Para hacer una diferencia cuantitativa, la actual especificación DDR 1.0 aplica una interfaz DDR (Double Data Rate) a la arquitectura SDR (Single Data Rate) de las memorias Flash (40Mbps), lo que resulta un chips de memorias NAND Flash de 133Mbps, pero con la nueva especificación tanto Samsung como Toshiba se enfocaran en asegurar e incrementar esta velocidad hasta 400Mbps con las especificaciones DDR 2.0, es decir, tres veces de lo que ofrece DDR 1.0 y 10 veces de lo que ofrece la arquitectura convencional de las memorias SDR NAND de uso generalizado hoy en día.
Ambas compañías promoverán la adopción de esta tecnología de alta-velocidad para memorias Nand-Flash por parte de la industria, de hecho ambas compañías en junio participaron en la estandarización de la tecnología en la JEDEC Solid State Technology Association, que es el organismo que regula estos estándares para memorias.