SK Hynix, el fabricante sur coreano de chips de memorias RAM/Flash, ha anunciado el desarrollo del primer módulo de memoria DDR4 con una capacidad de 128 GB, utilizando chips de memoria DDR4 de 8 Gb (Gigabit) mediante un avanzado proceso de manufactura con tecnología de 20nm.
Las memorias DDR4 comienzan a asomarse en el horizonte, las futuras plataformas de cómputo de Intel principalmente y AMD utilizarán la nueva tecnología de memoria en sus próximos productos y los fabricantes trabajan a toda máquina para tener listos sus soluciones de memoria para dichas plataformas.
Uno de estos fabricantes es la empresa sur coreana SK Hynix, quien ha anunciado el primer módulo DDR4 de la industria con capacidad de 128GB, el cual dobla la densidad respecto a los actuales módulos DDR3 de 64 GB, tomando ventaja de la tecnología TSV (Through Silicon Via). Estos módulos de alto rendimiento operan a una frecuencia de 2133 MHz o 2133 Mbps con una interfaz de 64-bit ofrecen un ancho de banda de 17 GB/s compatibles con configuraciones dual y quad-channel.
Estos módulos operan a un bajo voltaje de 1.2v, que ofrece una mejor eficiencia energética comparado con los módulos DDR3 que operan a 1.35v.
La empresa sur coreana comenzará la producción en masa de estos módulos o mejor dicho chips de memorias DDR4 de 8Gb en la primera mitad del 2015 y estarán enfocados inicialmente en el mercado de servidores, aunque la empresa también ofrecerá tecnología DDR4 para el mercado de consumo.
[SK Hynix]
