Toshiba mostró recientemente en el evento Nanotech 2009 Expo, junto a su socio SanDisk, un wafer u oblea de silicio que contenía chips de memorias NAND Flash de 32-gigabit (4GB) fabricadas con tecnología de 32nm, con lo cual la empresa logra liderar en tecnología de fabricación con los 32nm y a consecuencia de esto, consigue la mayor densidad por chips respecto a estas memorias. Toshiba dijo que ya había enviado muestras a sus socios y que la producción en volumen de chips de memorias NAND Flash a 32nm comenzará en el mes de Septiembre, pero no fue todo ya que Toshiba comentó que comenzará a producir memorias a 20-30nm entre finales del 2010 e inicios del 2011. [toshiba]
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