Toshiba y SanDisk, socios en la manufactura de chips de memorias, han anunciado la producción de los primeros chips de memorias NAND Flash del mercado que utilizan su nueva tecnología de manufactura de 15nm, un avance desde los 19nm que ofrece actualmente la industria para este tipo de memorias.
Toshiba ha dicho que el nuevo proceso de manufactura será utilizado para la producción de chips de memorias NAND Flash de 128-gigabit (16GB) de 2 bits por celda (2-bit-per-cell). La producción en masa de estos chips comenzará a finales de este mes (abril) en la Fab 5 de Yakkaichi en Japón.
Este paso a un proceso de manufactura más avanzado también permitirá a Toshiba utilizar una interfaz de alta velocidad en chips más pequeños mejorando la tecnología de la circuitería periférica de los chips, que en estimaciones teóricas permitirá incrementar la transferencia de datos a 533 mbit/sec, lo que representa hasta 1.3 veces más velocidad que lo que pueden alcanzar las memorias Flash actuales fabricadas a 19nm de Toshiba.
Toshiba también está ahora aplicando el proceso de manufactura de 15nm a chips de memorias Flash de 3 bits por celda (3-bit-per-cell) y espera iniciar la producción en junio de este 2014. Estos chips más económicos q los de 2 bits por celda están apuntados al mercado de dispositivos móviles como teléfonos y tabletas, mientras que los chips de alto rendimiento también llegará a las próximas generaciones de unidades SSD.
Por su parte SanDisk que tiene una especie de sociedad manufacturera con Toshiba, también ha anunciado su respectivo proceso de manufactura de 15nm que la compañía ha denominado 1Z-nm node. El enfoque de la compañía es similar al de Toshiba con chips de memorias NAND Flash de 2 y 3 bit por celda, cuya producción comenzará en la segunda mitad de este 2014 y serán integrados sus tarjetas de memoria, unidades de almacenamiento USB y unidades SSD.
