Actualmente el Silicio es el elemento electropositivo más abundante de la corteza terrestre y clave en la fabricación de una gran cantidad de microprocesadores, chips y micro componentes de computo, ya sean estos poderosos procesadores o chips de función especifica, de hecho esta presente invisiblemente para nosotros en una gran cantidad de aparatos electro-domésticos, pero si duda, en lo que mas lo conocemos los que estamos familiarizados con la computación y el hardware, es en la fabricación de procesadores, sin embargo, los científicos del área ya ven que el silicio pueda llegar a un limite en sus capacidades electrónicas y conductivas en los próximos 10 a 15 años y ya preparan un material para reemplazarlo, aunque en un principio sólo para el uso en dispositivos como PMP, teléfonos, artefactos para el automóvil etc.
Es así que los ingenieros del insitituo Microsystems Technology Laboratories (MTL) de Massachussets, han postulado al InGaAs (Indium Gallinum Arsenide) como reemplazante del silicio, este material tiene ciertas ventajas sobre el silicio, una de ellas es que los electrones viajan mucho más rápido que con el silicio, de hecho dicen que es 2.5 veces mas veloz que este ultimo y los transistores fabricados con este material tendrían solo 60nm, estas ventajas llevaría a que los dispositivos fabricados con este material puedan procesar información muchísimo más rápido, además este material requeriría mucho menos voltaje que el silicio, se habla que este material solo consume 0.5v, auque no especificaron bajo que condiciones de trabajo, ni tampoco indicaron la respectiva comparación contra el silicio.
A pesar que el tema se ve auspicioso e interesante, los científicos son cautos en señalar que esta tecnología de transistores es aún bastante joven y que los investigadores aun tienen muchos desafíos que superar con esta tecnología, antes de que pueda ser todo un estándar en la fabricación de semiconductores.
El lado negativo o desventaja de este material, es que es mucho más frágil que el silicio, por lo tanto, fabricar en masa podrían llegar a representar un problema, de todos modos Jesús del Alamo (profesor de Ingeniería Electrónica y miembro del MTL), estima que en los próximos 2 años se podrían ver los primeros dispositivos cuyos transistores estén fabricados con InGaAs.
De todas formas, a pesar de lo inmaduro de esta tecnología el MTL esta trabajando para presentar o hacer una demostración del InGaAs en el IEEE International Electron Devices Meeting, este 11 de Diciembre.
Respecto a temperaturas que pueda alcanzar este material respecto al silicio no se han dado datos al respecto, pero se puede presumir que si consume menos voltaje, pueda que resulte mas eficiente en cuanto a la emisión de calor y como dije al inicio a pesar de que se postula como el reemplazante del silicio, por ahora solo esta pensado para pequeños dispositivos electrónicos y no se ha mencionado nada respecto a procesadores (CPU) de escritorio o GPU, aunque Intel uno de los patrocinadores del proyecto, esta bastante contento con los resultados.
Debemos consignar que la tecnología es joven y habrá que ver si esto queda en un experimento de laboratorio o si la tecnología tiene futuro de aquí a 15 años.
Esto ha sido el informe cultural para este día Sábado.
Saludos
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